国际标准模块封装;
焊接式结构
优良的温度特性和功率循环能里
承受高浪涌电流,低压降;
安装简单,使用维修方便

Explanation 数据说明
1. IGT,VGT,IH 均为TA=25\'C 测试数据, 其他均为 TA=Tjm 测试数据
2. I2t=I2TSM X TW/2 :TW 是在50Hz, I2t=0.005 I2TSM(A2S)下,一半正眩波电流的测试数据
3. 当60Hz频率,ITSM (8.3ms)=ITSM (10ms)X 1.066,Tj=T jm
I2t (8.3ms)=I2t (10ms)X 0.943,Tj=T jm
IXYS型普通可控硅模块(STANDARD THYRISTOR MODULE(MCC MCD)
Type IT(AV) VDRMVRRM VTM@ITM IDRMIRRM IGT VGT
A V V A mA mA V
MCC250 250 400-2600 1.85 750 25 150 2.5
Type IH dv/dt di/dt ITSM Rjc Tjm Viso Outline
mA V/us A/us A*103 \'C/W \'C V(AC)
MCC250 100 800 100 8.5 0.120 125 2500