使用600 V GaN Cascode的三大优势是：
1. 具有卓越的体二极管特性：级联建立在低压硅技术上，且反向恢复特别低;
2. 容易驱动：设计人员可使用像普通MOSFET一样的传统门极驱动器，采用电压驱动，且驱动由低压硅MOSFET的阈值电压和门极电荷决定；
3. 高可靠性：通过长期应用级测试，且符合JEDEC行业标准(通过标准为：0个击穿、最终的漏电流低于规格门限、导通阻抗低于规格门限)。
PFC能效测试曲线
在许多现有电路拓扑中，Cascode GaN比Si提供更高能效。在连续导电模式(CCM)升压PFC拓扑中，在200 KHz和120 Vac输入的条件下，Cascode GaN较超结合Si(SJ Si)提升近1%的效率，随着频率的升高，GaN的优势更为明显。
TPspan002LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT,常断, 漏极标签
TPspan002LS PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPspan002PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPspan002PS TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPspan006LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
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TPspan202LD PQFN88 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
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TPspan202PD TO-220 600 9 0.29 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
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TPspan205WS TO-247 600 34 0.063 GaN HEMT, 常断, 源极标签
TPspan206LD PQFN88 600 17 0.15 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
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TPspan206PD TO-220 600 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPspan208PS TO-220 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 源极标签
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TPspan207WS TO-247 650 17 0.13 GaN HEMT, 常断, 漏极标签
TPD3215M TO-220 650 17 0.34 GaN HEMT, 常断, 源极标签